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华硕常压烧结碳化硅HS-SiC理化指标

性能 单位 HS-A HS-P HS-XA
晶体尺寸 μm 4-10 4-10 4-10
密度 g/cm ≥3.1 3.0-3.1 >3.1
努普硬度 Kg/mm² 2800 2800 2800
四点弯曲抗弯强度(室温) MPa*m1/2
*10³1b/in²
385
55
240
55
420
55
抗压强度(室温) Mpa
*10³1b/in²
3900
560
3900
560
弹性模量(室温) Gpa
*10³1b/in²
410
59
400
58
410
59
韦伯模量(2参数) 8 19 12
柏松比 0.14 0.14 0.14
断裂韧性(室温) MPa*m1/2
*1³1b/in²in½
8
8
8
热膨胀系数(室温至700°C) X10-6mm/mmK
X10-6 in/in°F
4.02
2.2
4.2
2.3
4.02
2.2
最高使用温度 °C
J/gmK
1900
0.67
1900
0.59
1900
0.67
热传导率@室温 W/mK
Btu/ft h°F
125.6
72.6
110
64
125.6
72.6
@200°C W/mK
Btu/ft h°F
102.6
59.3
102.6
59.3
@400°C W/mK
Btu/ft h°F
77.5
44.8
77.5
44.8
渗透率@室温 1000°C 31MPa以内无气体泄漏
电阻率 Ohm-cm 102-106 N/A 102-106
热辐射系数 0.9 0.9 0.9